Nuevo transistor cuántico rompe el límite de Boltzmann para mayor eficiencia energética
Un equipo de investigación internacional ha logrado un avance significativo en el diseño de transistores, presentando un dispositivo basado en efectos de túnel cuántico que podría transformar la eficiencia energética de la electrónica futura. Este desarrollo permite trascender el conocido límite de Boltzmann, un obstáculo fundamental para la mejora de los semiconductores tradicionales.










