Control del apilamiento de In₂Se₃ 2D impulsa memorias ferroeléctricas

Una investigación reciente, publicada en Nature Nanotechnology, ha demostrado un avance en el campo de los materiales bidimensionales (2D) con propiedades ferroeléctricas. El estudio se centra en el seleniuro de indio (In₂Se₃) y revela que su comportamiento ferroeléctrico está fuertemente ligado a la disposición de sus capas atómicas, o "orden de apilamiento". Los hallazgos indican que este orden es controlable durante el proceso de crecimiento del material mediante deposición química de vapor (CVD).

Los investigadores han desarrollado un memristor de homounión que integra las fases 2H y 3R del In₂Se₃. Este dispositivo ha logrado una relación de encendido/apagado (on/off ratio) que supera en una orden de magnitud la de los dispositivos fabricados con fases puras del material. Este rendimiento optimizado sugiere nuevas posibilidades para el desarrollo de aplicaciones de memoria ferroeléctrica avanzadas, un área crucial para la futura computación de baja potencia y alta densidad.