Nanoflakes de CoSi superan los límites del cobre en interconexiones a escala nanométrica

La industria electrónica enfrenta un desafío continuo en la miniaturización de componentes, donde la resistividad eléctrica de las interconexiones de cobre, el material predominante, tiende a incrementarse a medida que sus dimensiones se reducen. Este fenómeno limita la eficiencia y el rendimiento de los circuitos en escalas cada vez más pequeñas.

En contraste con este comportamiento, un estudio publicado en Nature Materials el 8 de septiembre de 2026, y disponible en nature.com, ha identificado que las nanoflakes de monosiliciuro de cobalto (CoSi) exhiben una propiedad opuesta. Según la investigación, la resistividad de estas nanoflakes disminuye cuando su grosor se reduce, pasando de 1 micrómetro hasta aproximadamente 20 nanómetros. Este descubrimiento es significativo, ya que sugiere una solución al problema de la pérdida de conductividad en dispositivos ultrafinos.

Adicionalmente a su respuesta favorable a la reducción dimensional, las nanoflakes de CoSi demuestran una alta fiabilidad. La combinación de estas características posiciona al CoSi como un material prometedor para el desarrollo de interconexiones en el ámbito nanométrico, lo que podría facilitar la continuidad en el avance de la miniaturización tecnológica y la mejora del rendimiento en sistemas electrónicos.