Investigadores demuestran transistores de MoS₂ que superan límites del silicio
Un equipo de la Universidad Carnegie Mellon ha presentado transistores fabricados con disulfuro de molibdeno (MoS₂), un semiconductor bidimensional que permite canales de un solo átomo de espesor. Estos prototipos muestran un avance significativo al operar en escalas por debajo de los 5 nanómetros, un umbral donde los transistores de silicio encuentran limitaciones físicas.










