Infineon produce el primer dispositivo de potencia funcional en oblea de SiC de 300 mm

Infineon Technologies ha logrado producir dispositivos de potencia funcionales utilizando obleas de carburo de silicio (SiC) de 300 milímetros, un avance que la compañía califica como una primicia mundial. Este desarrollo, realizado en la fábrica de Villach, Austria, representa una expansión considerable en la capacidad de fabricación.

La introducción de obleas de 300 mm ofrece una capacidad de producción que supera en más del doble a las tradicionales obleas de 200 mm. Específicamente, una oblea de 300 mm permite producir 2,3 veces más chips que una de 200 mm. Este escalado se traduce en un potencial de aumento en el volumen de producción y una reducción del coste por unidad. Como ha señalado Jochen Hanebeck, CEO de Infineon, este hito ‘fortalece aún más nuestro liderazgo en sistemas de potencia’. Según la compañía, este progreso es fundamental para escalar la fabricación de semiconductores y fomentar un crecimiento rentable, integrando el SiC junto al silicio y el nitruro de galio en formatos de 300 mm.

El carburo de silicio ya ofrece mejoras en eficiencia y menor pérdida de potencia en comparación con los materiales tradicionales para dispositivos de potencia, una ventaja que Infineon ya ha explotado con la producción en obleas de 200 mm. El paso a los 300 mm mantiene estas ventajas, a la vez que introduce nuevos desafíos en el proceso de fabricación.

Simultáneamente a la producción de obleas de 300 mm en Villach, Infineon ha anunciado la prueba exitosa de su tecnología ‘Cold Split’ en Dresde, Alemania. Esta técnica permite separar las obleas de un lingote de carburo de silicio con una pérdida de material significativamente reducida frente al corte por hilo convencional, lo que aumenta el número de obleas utilizables.

Según detalla Hackster.io, Infineon se encuentra en fase de planificación para la escalada de producción de obleas de SiC de 300 mm, lo que implicará la colaboración con clientes y socios. Las aplicaciones potenciales abarcan desde inversores y cargadores a bordo hasta sistemas de almacenamiento de energía a gran escala. La empresa mostrará su logro con obleas de SiC de 300 mm en la feria electronica 2026 que se celebra esta semana en Múnich.

Este hito tecnológico fortalece aún más nuestro liderazgo en sistemas de potencia.

Jochen Hanebeck, CEO de Infineon